特許
J-GLOBAL ID:200903062343784989
セラミック積層電子部品の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-079120
公開番号(公開出願番号):特開平8-279438
出願日: 1995年04月04日
公開日(公表日): 1996年10月22日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 内部電極重なり部分と内部電極が重なり合っていない部分との段差を解消し、デラミネーションの発生を効果的に防止することができ、かつ比較的簡単な方法により特性の安定なセラミック積層電子部品を得る方法を提供する。【構成】 PETフィルム11上に第1の金属膜12を形成し、第1の金属膜12上に部分的に、第1の金属膜12よりも厚みの大きな第2の金属膜14を形成して多層金属膜を得、その上にセラミックグリーンシート16を成形して得た金属膜一体化グリーンシート17を積層して、多層金属膜を内部に含有するセラミック積層体18を形成し、セラミック積層体中の第2の金属膜14の下方に位置しない第1の金属膜部分を、構成金属成分がセラミックス中に拡散するように絶縁物化するとともに、セラミックスを焼成するセラミック積層電子部品の製造方法。
請求項(抜粋):
支持体上に第1の金属膜を薄膜形成法により形成する工程と、前記第1の金属膜上に、部分的に、前記第1の金属膜よりも厚みの大きな第2の金属膜を薄膜形成法により形成して多層金属膜を形成する工程と、前記多層金属膜を内部に含むセラミック積層体を形成する工程と、前記セラミック積層体中の第2の金属膜の下方に位置していない第1の金属膜部分を、構成金属成分がセラミックス中に拡散するようにして絶縁物化するとともに、前記セラミックスを焼成する工程とを備えることを特徴とする、セラミック積層電子部品の製造方法。
IPC (5件):
H01G 4/12 364
, H01G 4/30 311
, H01L 23/12
, H01L 23/15
, H05K 3/46
FI (6件):
H01G 4/12 364
, H01G 4/30 311 D
, H05K 3/46 H
, H05K 3/46 T
, H01L 23/12 N
, H01L 23/14 C
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