特許
J-GLOBAL ID：200903062346216159
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-156590
公開番号（公開出願番号）：特開平5-007049
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 p型のドーパントとしてBeを用いたAlGaInP系材料からなる半導体発光装置に対してp型GaAs層を介してオーミック接触を得る場合、その構造について動作電圧を低減するための最適な条件を提供する。【構成】 p型GaAs半導体層とp型(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(0<x≦1,0≦y≦1)半導体層との間に、p型GaInP中間層を有し前記p型GaInP中間層のキャリア濃度が、1×10<SP>19</SP>cm<SP>-3</SP>以上であること及び、前記p型GaAs半導体層と前記p型(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(0<x≦1,0≦y≦1)半導体層と前記GaInP中間層のp型ドーパントとしてBeを用いることを特徴とする半導体発光装置。
請求項（抜粋）：
GaAs半導体基板に格子整合するAlGaInP系半導体層によるダブルヘテロ構造をもち、p型GaAs半導体層とGaAs半導体基板に格子整合するp型(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(0<x≦1,0≦y≦1)半導体層を有し、前記p型GaAs半導体層と前記p型(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(0<x≦1,0≦y≦1)半導体層との間に電流を流す半導体発光装置に於いて、前記p型GaAs半導体層とp型(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(0<x≦1,0≦y≦1)半導体層との間に、p型GaInP中間層を有し前記p型GaInP中間層のキャリア濃度が、1×10<SP>19</SP>cm<SP>-3</SP>以上であることを特徴とする半導体発光装置。
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