特許
J-GLOBAL ID:200903062351296233

レ-ザレーダ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-358202
公開番号(公開出願番号):特開平10-197619
出願日: 1996年12月27日
公開日(公表日): 1998年07月31日
要約:
【要約】【課題】 特に外乱光の影響を低減することにより検出信号のS/N比を向上させたレ-ザレーダを提供する。【解決手段】 本発明のレ-ザレーダは、光源として半導体基板20上に第1のクラッド層22、活性層23、第2のクラッド層24、コンタクト層25、電流通路を形成するストライプ溝26、27を有する電流ストップ層28及び電極層30、31を順に積層し、これら電極層から第2のクラッド層24にかけて断面四角形状の複数の凹部33をそれぞれ一定間隔あけて前記ストライプ溝方向に並設してなる半導体レーザ1を使用し、さらにこの半導体レーザ1から出射した光が被照射体から反射して戻る光を検出する受光手段5において波長半値幅の狭い光干渉フィルタ6を設けている。
請求項(抜粋):
半導体基板上に第1のクラッド層、活性層、第2のクラッド層、コンタクト層、電流通路を成すストライプ溝を有する電流ストップ層及び電極層を順に積層し、該電極層から前記第2のクラッド層にかけての断面四角形状の複数の凹部をそれぞれ一定間隔あけて前記ストライプ溝方向に並設してなる半導体レーザを光源とし、該半導体レーザから出射した光が被照射体から反射して戻る光を検出する受光手段が波長半値幅の狭い光干渉フィルタを有することを特徴とするレーザレーダ。
IPC (5件):
G01S 7/48 ,  G01S 7/40 ,  G01S 17/10 ,  G01S 17/93 ,  H01S 3/103
FI (5件):
G01S 7/48 A ,  G01S 7/40 C ,  G01S 17/10 ,  H01S 3/103 ,  G01S 17/88 A

前のページに戻る