特許

J-GLOBAL ID：200903062352464725

半導体リードフレームのメッキ方法及びその装置

発明者： 生田 勝治 ,  中島 雅夫
出願人/特許権者： リックス株式会社
代理人 (1件)： 綾田 正道 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293369
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121674
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】半導体を実装したリードフレームに均質な厚さのメッキを施すことができ、特に簡単な構造で様々な規格の半導体実装リードフレームに即対応することができる技術の提供。【解決手段】一定の平行な間隔を有して一対の陽電極8が第2槽3内に垂直配置され、陽電極の間に挿入したリードフレーム19を陰電極として陽電極との間に通電することによりリードフレームにメッキ処理をする方法と装置において、陽電極8同士の間に配置されたリードフレーム19の浸漬部分の縁周りを隔壁板5,6,7で囲繞して液中通電領域24を形成し、このうち隔壁板7の横方向位置と隔壁板6の深さを調整可能とした構成。

請求項（抜粋）：

一定の平行な間隔を有して一対の陽電極をメッキ位置に垂直配置し、半導体を実装したリードフレームを前記陽電極の間に挿入するようにしてメッキ液に浸漬し、該リードフレームを陰電極として前記陽電極との間に通電することにより前記リードフレームにメッキ処理をするようにした半導体リードフレームのメッキ方法において、陽電極同士の隙間内下方または隙間下端に接して水平配置した水平隔壁板をリードフレーム下縁全長に当接させ、かつリードフレーム上縁までメッキ液を満たすことにより、陽電極面と、該陽電極面に相対するリードフレーム面とに挟まれた空間内に形成される液中通電領域をリードフレームの高さと略同一に画成した状態でメッキ処理することを特徴とする半導体リードフレームのメッキ方法。

IPC (3件)：

H01L 23/50 ,  C23C 2/08 ,  C25D 17/12

FI (3件)：

H01L 23/50 D ,  C23C 2/08 ,  C25D 17/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電気分解装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-148593   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-285454