半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-104409
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029496
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】この発明は、チャネルストッパ層を構成している不純物の装置へ及ぼす悪影響を減ずることができる半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。【構成】ワ-ド線に対して自己整合的にソ-ス領域を形成する、という製造方法において、ワ-ド線(222 )とワ-ド線(223 )との相互間上、即ち、ソ-ス線形成部(26)上を少なくとも覆うようにカバ-(28)を形成し、このカバ-(28)をマスクに用いてフィ-ルド酸化膜(12)を通過させて基板(10)内にチャネルストッパ形成用の不純物(32)を導入する。このような製法であると、第2のチャネルストッパ層とソ-ス線形成部(26)に形成される高不純物濃度のソ-ス領域とが互いに接触しなくなり、ソ-ス領域の基板(10)に対する耐圧が劣化しなくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に素子分離領域を形成し、この基板上に素子形成領域を得る工程と、前記素子分離領域上から前記素子形成領域上に跨がるように、互いに並行する少なくとも3つの第1、第2、第3のワ-ド線を形成する工程と、少なくとも前記第1のワ-ド線と第2のワ-ド線との相互間上を覆うように第1のカバ-を形成し、この第1のカバ-、並びに前記第1、第2、第3のワ-ド線をマスクに用いて前記素子分離領域を除去し、ソ-ス線形成部を得る工程と、前記ソ-ス線形成部の一部を少なくとも覆うように第2のカバ-を形成し、この第2のカバ-をマスクに用いて前記素子分離領域を通過させて前記基板内にチャネルストッパ形成用の不純物を導入する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/115 , H01L 21/265 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 21/265 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-208866
特開平1-283944
特開昭59-061189

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