特許

J-GLOBAL ID：200903062357261636

炭化珪素半導体装置

発明者： 新居 圭太
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179355
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029250
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 炭化珪素半導体基板と配線との接続の良好な配線構造を提供する。【構成】 炭化珪素上に高濃度ポリシリコンを成長させて、該ポリシリコンを介して配線と接続する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の炭化珪素上に高濃度ポリシリコンを成長させて設け、該ポリシリコンを介して半導体基板と配線と接続するようにしてなる炭化珪素半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/88 P ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-081764
  
• 特開平2-016741