SiC-MISFET及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-403296
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166930
出願日： 2003年12月02日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】マクロステップに対するチャネル方向の違いによるFET特性の差がない、電流駆動能力の高いSiC-MISFET及びその製造方法を提供する。【解決手段】熱酸化により、基板上に露出しているSiCを酸化して、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜9を形成する。酸素と窒素との化合物からなるガスの雰囲気中で、基板温度を例えば1100°Cにして、1時間の間アニールを行なう。その際、基板を、減圧装置が付設されたチャンバ内に移動させて、チャンバ内を減圧しつつ、チャンバ内にNOガス等のV族元素含有ガスを流し、チャンバ内を窒素等のV族元素が酸化膜中に拡散するのに十分に高い温度(約1100°C)に加熱する。このとき、減圧下で、酸化膜を窒素などのV族元素を含むガスに暴露することにより、酸化膜内に窒素などのV族元素が拡散し、比誘電率の大きい,より緻密なV族元素を含有したゲート絶縁膜9が形成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

( 0 0 0 1)面から10°以下のある角度だけ傾いた主面を有するSiC層と、上記SiC層の上に形成され、少なくとも下部にV族元素を含む領域を有する酸化膜からなるゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、上記SiC層のうち上記ゲート電極の側方に位置する領域に設けられ、第1導電型不純物を含む少なくとも1つの不純物拡散層とを備えているSiC-MISFET。

IPC (3件)：

H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/336

FI (9件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652E , H01L29/78 652K , H01L21/265 602A , H01L29/78 658A , H01L29/78 658F , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 301Q

Fターム (41件)：

5F140AA00 , 5F140AA05 , 5F140AB04 , 5F140AC24 , 5F140AC26 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BB01 , 5F140BB13 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD06 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG27 , 5F140BG37 , 5F140BH43 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140BK37 , 5F140BK38 , 5F140CA03 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC13 , 5F140CE02 , 5F140CF00

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3251017号公報(要約書)

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