半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-356830
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181329
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタに、高抵抗不純物領域を自己整合的に形成する。【解決手段】ゲイト電極106とバリア型陽極酸化物108とゲイト絶縁膜104’とをマスクにして、活性層103に不純物をドーピングする。ゲイト電極106の下部には実質的に不純物はドーピングされず、チャネル形成領域となり、ゲイト絶縁膜104’が存在する領域はドーピング量は少なく、不純物濃度の低い高抵抗不純物領域111、112となり、ゲイト絶縁膜104’が存在しない領域は不純物濃度の高い低抵抗不純物領域110、113となる。また、ゲイト絶縁膜104’がバリア型陽極酸化物108から突出する距離yは、ゲイト電極106の側面に形成されていた多孔質陽極酸化物107の膜厚で決定される。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタであって、活性層と、前記活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、を有し、前記活性層は、真性または実質的に真性のチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に隣接した1対の高抵抗不純物領域と、前記一対の高抵抗不純物領域の外側に設けられた1対の低抵抗不純物領域とを有し、前記ゲイト絶縁膜は、少なくとも前記チャネル形成領域と、前記一対の高抵抗不純物領域とを覆っていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/136 500

FI (5件)：

H01L 29/78 616 A , G02F 1/1333 505 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 627 F

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平3-142418
MIS型電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-027750 出願人：富士通株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-317849 出願人：松下電器産業株式会社

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