特許
J-GLOBAL ID：200903062371696858
真空中加熱用ホルダー及びCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175485
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020965
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 真空中にてシリコンウエハー、ガラス板等の基板を加熱する場合、基板を効率よく且つ面内均一に加熱する。【構成】 ヒーター3が内蔵されたステンレス等よりなる加熱ホルダー2の表面に基板の形状に沿って凹凸段差を設け、この凹面に熱輻射率がステンレスより大きいアルミナ等の薄膜5を設けた真空中加熱ホルダー。この真空中加熱ホルダーを内装した、CVD装置及びECR-CVD装置。【効果】 加熱ホルダー表面の熱輻射率がステンレスが露出している場合より大きくなり、ヒーターと基板間の温度差が少なくなるので、ヒーターの消費電力が低減される。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハー、ガラス板等の基板を真空中に保持し、該基板を加熱するヒータを内蔵した真空中加熱用ホルダーにおいて、該ホルダーの少なくとも前記基板に対向する表面に、熱輻射率がステンレスよりも大きくかつ重金属ではない材料の薄膜が形成されていることを特徴とする真空中加熱用ホルダー。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
