特許

J-GLOBAL ID：200903062375937078

液晶表示装置

発明者： 米原 隆夫 ,  近藤 茂樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-216575
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041505
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 光透過性基体上に形成された良質なる単結晶層に、高性能の半導体能動素子を作製し、該光透過性基体に液晶画素を高密度に且つ高速に駆動することが可能な周辺回路を液晶層と同一基体上に集積させて作製する。【構成】 半導体能動素子の、少なくとも活性領域を構成する単結晶層が、多孔質化されたシリコン基体上の非多孔質単結晶層の表面或いは、該非多孔質単結晶層の酸化表面を、光透過性基体1に貼り合わせてのち、該多孔質化されたシリコン基体を少なくとも湿式化学エッチングを含む工程により除去して得られた、光透過性基体上の該非多孔質単結晶層4,5である。

請求項（抜粋）：

半導体能動素子を液晶層と同一基体上に有する液晶表示装置において、前記半導体能動素子の、少なくとも活性領域を構成する単結晶層が、多孔質化されたシリコン基体上の非多孔質単結晶層の表面或いは、該非多孔質単結晶層の酸化表面を、光透過性基体に貼り合わせてのち、該多孔質化されたシリコン基体を少なくとも湿式化学エッチングを含む工程により除去して得られた、光透過性基体上の該非多孔質単結晶層であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (6件)：

H01L 27/12 ,  G02F 1/13 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/784