薄膜形成方法及びそのための薄膜形成装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125315
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321617
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハなどの基板上への平坦化した薄膜形成を連続的に安定して低コストで実施でき、しかも、薄膜への不純物の付着、混入による品質の低下及び薄膜の経時変化が回避可能で、大型の基板に対しても適用できる連続的な薄膜形成方法及びそのための薄膜形成方法を提供する。【解決手段】薄膜形成用塗布液を転写ロール2表面に供給する塗布液供給装置6と、塗布液供給装置から供給された薄膜形成用塗布液がその表面に塗布され転写用薄膜8を形成する転写ロール2を備えた転写装置4と、薄膜をその表面に形成すべき基板9を、転写ロールの下方に連続的に搬送する基板搬送装置16とを備え、転写装置が、転写用薄膜が形成された転写ロール表面を、基板搬送装置で搬送された基板の表面に圧接して、転写ロール表面に形成された転写用薄膜を基板表面に転写するように構成した。

請求項（抜粋）：

基板表面上に薄膜を連続的に形成するため薄膜形成方法であって、薄膜形成用塗布液を連続的に露出される薄膜転写用基材表面に塗布して、薄膜転写用基材表面に転写用薄膜を連続的に形成する転写用薄膜形成工程と、薄膜をその表面に形成すべき基板を、前記転写用薄膜が形成された転写用基材表面に連続的に供給する基板供給工程と、前記転写用薄膜が形成された転写用基材表面を、基板の薄膜を形成すべき表面に圧接して、転写用基材表面に形成された転写用薄膜を基板表面に連続的に転写する転写工程とを含むことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 G , H01L 21/31 A , H01L 21/88 K , H01L 21/90 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

薄膜の形成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-217745 出願人：セントラル硝子株式会社
特開平3-096348

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