特許

J-GLOBAL ID：200903062381521983

光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181722
公開番号（公開出願番号）：特開平5-005182
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】 大きな面積の基体(ウエハ)に高照度の高速を均一に照射することができ、高精度な成膜が可能な光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を得ること。【構成】 原料ガスが封入される反応室に該反応室の一部に設けた光透過窓より照明系からの光束を照射して、該原料ガスを励起させるようにした光励起プロセス装置において、該照明系は光源手段から放射される光束の一部を中心軸が該光源手段の発光中心を略通る内面に反射面を設けた円筒反射部材を利用して該光透過窓に入射していること。

請求項（抜粋）：

原料ガスが封入される反応室に該反応室の一部に設けた光透過窓より照明系からの光束を照射して、該原料ガスを励起させるようにした光励起プロセス装置において、該照明系は光源手段から放射される光束の一部を中心軸が該光源手段の発光中心を略通る内面に反射面を設けた円筒反射部材を利用して該光透過窓に入射していることを特徴とする光励起プロセス装置。

IPC (6件)：

C23C 16/48 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-170976
  
• 特開平1-212769
  
• 特開平3-036272