特許
J-GLOBAL ID：200903062386651150
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-042126
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232510
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 p-n接合を有する窒化ガリウム系半導体チップを用いた半導体レーザ素子において、特に半導体チップの冷却効率の優れたものを提供する。【構成】 成長基板と、この成長基板上に順次形成されたn形及びp形窒化ガリウム層と、これらp形及びn形窒化ガリウム層にそれぞれ形成された一対の電極とを少なくとも有した半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子において、半導体チップは、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されており、半導体チップの一対の電極が、支持基板と対向するp形及びn形窒化ガリウム層にそれぞれ形成され、一方、これら電極と対向した熱伝導性絶縁スペーサ上には対向電極層が形成され、電極と対向電極層とは熱導電性のある導電性接着剤で固定されている。
請求項（抜粋）：
成長基板と、この成長基板上に順次形成されたn形及びp形窒化ガリウム層と、これらp形及びn形窒化ガリウム層にそれぞれ形成された一対の電極とを少なくとも有した半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子において、前記半導体チップは、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されており、前記半導体チップの一対の電極が、支持基板と対向するp形及びn形窒化ガリウム層にそれぞれ形成され、一方、これら電極と対向した前記熱伝導性絶縁スペーサ上には対向電極層が形成され、前記電極と対向電極層とは熱伝導性のある導電性接着剤で固定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 23/36
, H01L 33/00
