特許

J-GLOBAL ID：200903062389728196

シクロヘキサンからアジピン酸への酸化における反応混合物から触媒を抽出する方法

発明者： デコスター, デイビッド シー. ,  バシリュー, ユースタシオス ,  ダッセル, マーク ダブリュー. ,  ロスタミ, アデ-ル エム. ,  ダッジオン, ダグラス ジェイ.
出願人/特許権者： アールピーシー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-558062
公開番号（公開出願番号）：特表2002-519401
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2002年07月02日
要約：

【要約】本発明は、反応混合物から触媒を、反応ゾーンの外側に抽出することによって、一塩基酸溶媒の存在下における、シクロヘキサンからアジピン酸への酸化を制御する方法に関する。実質的に全ての未反応のシクロヘキサン、大部分のアジピン酸、および好ましくは実質的に全ての一塩基酸溶媒が反応生成物から除去される。実質的に全ての一塩基酸溶媒が除去される場合、一塩基酸溶媒が好ましくは蒸留によって除去される間に、プロトン性溶媒が反応混合物に、断続的または連続的に添加され、従って、固体の沈殿が避けられる。次いで、両性の非プロトン性溶媒が、単一液相を保持するのに適量のプロトン性溶媒の存在下で添加され(両性の非プロトン性溶媒およびプロトン性溶媒の全ては新規の組み合わせ溶媒を構成する)、次いで、プロトン性溶媒中の全ての触媒が実質的に抽出される工程が続く。触媒抽出物は、好ましくは反応ゾーンにリサイクルされ、ここで、シクロヘキサンはアジピン酸に酸化される。従って、新規の組み合わせ溶媒は、好ましくはシクロヘキサノンと水との組み合わせであり、これによって、好ましくは大部分のアジピン酸の除去後、反応生成物の分解、続く、水中での触媒の実質的に完全な抽出が可能になる。触媒の沈殿は起こらず、そして全ての欠点および固体処理の費用が回避される。

請求項（抜粋）：

シクロヘキサンからアジピン酸への直接酸化によって生成した反応混合物から触媒を抽出する方法であって、該反応混合物は、シクロヘキサン、アジピン酸、一級および/または二級水素原子のみを有する一塩基酸溶媒、必要に応じて水、ならびに金属イオン触媒を含有し、該方法は、以下の工程: (a)全ての該シクロヘキサンを実質的に除去する工程; (b)50重量%より多くの該アジピン酸を除去する工程; (c)95重量%より多くの該一塩基酸溶媒を蒸留により除去する工程であって、この間にプロトン性溶媒が、固体の沈殿を実質的に防止するのに十分適切な量で、連続的または断続的に添加されて、第1単一液相を提供し、該第1単一液相は、均一であり、固体を含有せず、該プロトン性溶媒は、カルボン酸または鉱酸基を含有せず、0.9〜1.0の範囲の正規化溶媒極性パラメーターENを有する、工程; (d)該第1単一液相に、両性の非プロトン性溶媒、および必要ならば、追加のプロトン性溶媒を、第2単一液相を提供するような量で添加する工程であって、該第2単一液相は、所望の第1温度において均一であり、固体を含有せず、該両性の非プロトン性溶媒は、0.2〜0.4の範囲の正規化溶媒極性パラメーターENを有し、該両性の非プロトン性溶媒および該プロトン性溶媒は、互いに部分的にのみ可溶性である、工程; (e)必要に応じて、該第2単一液相を保持しつつ、該第1温度を第2温度まで下げる工程;ならびに (f)所定量の該プロトン性溶媒を含有する、該第2単一液相から、全ての該金属イオン触媒を実質的に抽出することによって、触媒抽出物を形成する工程、によって特徴付けられ、 ここで、ENは、以下の式(1)によって定義され:【数1】 水およびテトラメチルシランを極値基準溶媒として使用するので、ET(溶媒)は、検討中の溶媒に対応するET値であり、ET(TMS)は、テトラメチルシランに対応するET値であり、そしてET(水)は、水に対応するET値であり、 そしてここで、ETは以下の式(2)により定義され:【数2】 ここで、νは、電子励起を生じる光子の波数(cm-1)であり、hはプランク定数であり、cは光速であり、NAはアボガドロ数であり、ETは、検討中の溶媒中の、ピリジニウム-N-フェノキシドベタイン色素の最長波長の溶媒和発色吸収バンドに対する遷移エネルギーに直接依存するか、または検討中の溶媒中のより親油性のペンタ-tert-ブチル置換ピリジニウム-N-フェノキシドベタイン色素の使用によって間接的に依存するかのいずれかである、方法。

IPC (6件)：

C07C 51/31 ,  B01J 31/40 ,  B01J 38/00 301 ,  C07C 51/44 ,  C07C 55/14 ,  C07B 61/00 300

FI (6件)：

C07C 51/31 ,  B01J 31/40 Z ,  B01J 38/00 301 J ,  C07C 51/44 ,  C07C 55/14 ,  C07B 61/00 300

Fターム (31件)：

4G069AA10 ,  4G069BA21C ,  4G069BA36A ,  4G069BB01C ,  4G069BC67A ,  4G069BC67B ,  4G069BD01C ,  4G069BD02C ,  4G069BE02C ,  4G069BE08C ,  4G069BE32C ,  4G069BE36C ,  4G069CB07 ,  4G069CB74 ,  4G069GA09 ,  4G069GA10 ,  4G069GA13 ,  4G069GA16 ,  4H006AA02 ,  4H006AC46 ,  4H006AD16 ,  4H006BA83 ,  4H006BB16 ,  4H006BB31 ,  4H006BB40 ,  4H006BB41 ,  4H006BC33 ,  4H006BC51 ,  4H039CA65 ,  4H039CC40 ,  4H039CC50