III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130434
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313259
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体基板を提供すること。【解決手段】GaN層31を点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングして段差を設け、底部を、元基板1の凹部となるよう形成する。こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、GaN32を横方向エピタキシャル成長させることで段差の下段(元基板1の凹部)上方を埋めたのち、さらに上方にも成長させる。このときGaN32が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、GaN層31が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。こののち残ったGaN層31を上層のGaN32とともにエッチングして除去し、残ったGaN層32の上段の上面及び側面を核として、GaN33を横方向エピタキシャル成長させれば、貫通転位の著しく抑制されたGaN基板30を得ることができる。GaN基板30は元基板1との接触面(GaN層31)を小さくしておけば、分離が容易である。

請求項（抜粋）：

元基板上にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させ、元基板から分離することによりIII族窒化物系化合物半導体基板を得るIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方法において、少なくとも1層のIII族窒化物系化合物半導体から成り、最上層を第1のIII族窒化物系化合物半導体とする基底層を前記元基板上に形成する工程と、前記基底層と前記元基板表面の少なくとも一部とをエッチングにより削り、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態とし、前記基板面に前記基底層の形成された上段と、前記基底層の形成されていない、元基板面の凹部である下段との段差を設ける第1の段差形成工程と、前記エッチングにより形成された点状、ストライプ状又は格子状等の島状態の前記第1のIII族窒化物系化合物半導体の段差の上段の上面及び側面を核として、第2のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させて段差の下段上方を充填すると共に段差の上段を覆う第1の横方向エピタキシャル成長工程と、前記第1の段差形成工程でエッチングされなかった第1のIII族窒化物系化合物半導体とする基底層の、一部を除いてその他全部を、上層の第2のIII族窒化物系化合物半導体と前記元基板表面の少なくとも一部とともにエッチングにより除き、残った第2のIII族窒化物系化合物半導体の上段と、前記第2のIII族窒化物系化合物半導体形成されていない、元基板面の凹部である下段との段差を設ける第2の段差形成工程と、前記エッチングにより形成された前記第2のIII族窒化物系化合物半導体の第2の段差の上段の上面及び側面を核として、第3のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させて段差の下段上方を充填すると共に段差の上段を覆う第2の横方向エピタキシャル成長工程と、元基板及び前記第2の段差形成工程で除かれなかった前記基底層を除いて、第2のIII族窒化物系化合物半導体と第3のIII族窒化物系化合物半導体から成る基板を得る工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C , H01S 5/343

Fターム (34件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EF03 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045HA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA25 , 5F073DA35 , 5F073EA29

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