特許
J-GLOBAL ID：200903062408615080
磁気記憶装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277458
公開番号（公開出願番号）：特開2001-101859
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 高密度で、かつ低消費電力な磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 第1の強磁性電極と、第2の強磁性電極と、第1及び第2の強磁性電極間に第1及び第2の誘電体層を介して挿入されたゲート電極とを具備するスピン依存トンネル効果素子を備える複数のメモリセルと;複数のスピン依存トンネル効果素子の第1または第2の強磁性電極が共通に接続されるデータ線と;それぞれ異なるメモリセルのゲート電極と容量結合する複数のワード線とを具備し、データ線に共通に接続された複数のメモリセルの1つを記憶情報読み出し時に選択するセル選択が、ワード線の1つを選択して電位を変化させ、選択したワード線と容量結合するメモリセルの抵抗値を変えることにより行われることを特徴とする磁気記憶装置。
請求項（抜粋）：
第1の強磁性電極と、第2の強磁性電極と、前記第1及び第2の強磁性電極間に第1及び第2の誘電体層を介して挿入されたゲート電極とを具備するスピン依存トンネル効果素子を備える複数のメモリセルと、前記複数のスピン依存トンネル効果素子の前記第1または第2の強磁性電極が共通に接続されるデータ線と、それぞれ異なる前記メモリセルの前記ゲート電極と容量結合する複数のワード線とを具備し、前記データ線に共通に接続された複数の前記メモリセルの1つを記憶情報読み出し時に選択するセル選択が、前記ワード線の1つを選択して電位を変化させ、選択した前記ワード線と容量結合するメモリセルの抵抗値を変えることにより行われることを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14
, G11C 11/24
, H01L 27/10 451
, H01L 43/08
G11C 11/15
, G11C 11/14 A
, G11C 11/24
, H01L 27/10 451
, H01L 43/08 Z
5F083EP32
, 5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083LA12
, 5F083LA16
