特許

J-GLOBAL ID：200903062412269838

パターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-168255
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005533
出願日： 2003年06月12日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】浸漬リソグラフィにより得られるレジストパターン形状を良好にする。【解決手段】化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜101を形成した後、パーフルオロポリエーテルに水が添加されており且つ循環しながら溶液貯留部に一時的に貯留されている溶液103をレジスト膜102の上に供給した状態で、露光光104をレジスト膜102に選択的に照射してパターン露光を行なう。パターン露光が行なわれたレジスト膜102に対して、ポストベークを行なった後、アルカリ性現像液により現像を行なうと、レジスト膜102の未露光部102bよりなり良好な形状を持つレジストパターン105が得られる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

レジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜の上に、非水溶液に水が添加されてなる溶液を供給した状態で、前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、 パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なってレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/38

FI (5件)：

H01L21/30 516F ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 565 ,  H01L21/30 575

Fターム (20件)：

2H025AA03 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096DA10 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA27 ,  5F046JA22