特許

J-GLOBAL ID：200903062421982261

基板の研削方法及び基板の研削装置

発明者： 栗田 秀昭
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-385409
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150371
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 基板の一方の面に保護テープを貼付しなくても、この基板の一方の面に形成された複数の回路素子を傷つけることなく、この基板の他方の面を研削できるようにした基板の研削方法及び基板の研削装置を提供する。【解決手段】 複数のICチップが表面に一体に形成されてなるウエーハWの裏面を研削する装置であって、ウエーハWの周縁部を固定する吸着ステージ10と、この周縁部を固定されたウエーハWの表面に純水を供給して、当該ウエーハWを表面側から裏面側へ押圧する純水供給装置30と、この純水により表面側から裏面側へ押圧されているウエーハWの当該裏面に研削パッド42を接触させて当該裏面を研削する回転研削装置40と、を備えたことを特徴とするものである。ウエーハWの裏面を研削する時に、吸着ステージ10の掘り下げられた上面16に純水を供給してウエーハWの表面側から裏面側への圧力をコントロールする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の回路素子が一方の面に一体に形成されてなる基板の他方の面を研削する方法であって、 前記基板の周縁部を固定する工程と、 前記周縁部を固定された前記基板の前記一方の面に所定の液体を供給して、当該基板を前記一方の面側から前記他方の面側へ押圧する工程と、 前記液体により前記一方の面側から前記他方の面側へ押圧されている前記基板の当該他方の面を研削する工程と、を含むことを特徴とする基板の研削方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B7/22

FI (4件)：

H01L21/304 622G ,  H01L21/304 622H ,  H01L21/304 631 ,  B24B7/22 Z

Fターム (8件)：

3C043BB00 ,  3C043CC04 ,  3C043DD05 ,  5F031CA02 ,  5F031HA07 ,  5F031HA13 ,  5F031MA22 ,  5F031PA30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体ウエーハの研削方法及び研削方法に用いる紫外線照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-138645   出願人：株式会社ディスコ