特許
J-GLOBAL ID：200903062423880253
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335587
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202156
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 電荷読出し部における信号電荷の読み残しを低減すると共にフォトダイオード部と電荷転送部との間のポテンシャル障壁を高くする。【構成】 N型半導体基板11には、光電変換により信号電荷を生成するフォトダイオード部14と、信号電荷を転送するための電荷転送部15と、フォトダイオード部14と電荷転送部15との間に形成され、フォトダイオード部14において生成された信号電荷を電荷転送部15に読み出すための電荷読出し部16とが形成されている。電荷読出し部16は、フォトダイオード部14側に形成された不純物濃度が相対的に高い高濃度領域(P++)16aと電荷転送部15側に形成された不純物濃度が相対的に低い低濃度領域(P+)16bとからなる。
請求項（抜粋）：
光電変換により信号電荷を生成するフォトダイオード部と、信号電荷を転送するための電荷転送部と、前記フォトダイオード部と前記電荷転送部との間に形成され前記フォトダイオード部において生成された信号電荷を前記電荷転送部に読み出すための電荷読出し部とを備えた固体撮像装置において、前記電荷読出し部は、前記フォトダイオード部側に形成された不純物濃度が相対的に高い領域と前記電荷転送部側に形成された不純物濃度が相対的に低い領域とからなることを特徴とする固体撮像装置。
引用特許：
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