特許

J-GLOBAL ID：200903062430801474

電界放出型冷陰極の製造方法、それを用いた電界放出型冷陰極、および平板型画像表示装置

発明者： 中本 正幸 ,  小野 富男 ,  酒井 忠司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186753
公開番号（公開出願番号）：特開平6-036682
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 エミッタの形状再現性や均一性、さらにゲート-エミッタ間の距離の制御性を高め得ると共に、その形成領域を容易に大面積化することができる電界放出型冷陰極の製造方法を提供する。【構成】 底部を尖らせた凹部12を有する第1の基板11に、熱酸化絶縁層13を形成する。凹部12内を埋めつつ、熱酸化絶縁層13上にエミッタ材料層14を形成する。第1の基板11と構造基板からなる第2の基板17とを接合する。第1の基板11をエッチングにより除去し、熱酸化絶縁層13を露出させると共に、凹部内に充填されたエミッタ材料に相当する凸部18を突出させる。露出された熱酸化絶縁層13上にゲート電極層19を形成した後、凸部先端部18aが露出するように、熱酸化絶縁層13およびゲート電極層14の一部を除去して、エミッタ18を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の基板に、底部を尖らせた凹部を設ける工程と、前記凹部内を含めて前記第1の基板表面に絶縁層を形成する工程と、前記凹部内を埋めつつ、前記絶縁層上にエミッタ材料層を形成する工程と、前記第1の基板と構造基板からなる第2の基板とを、前記エミッタ材料層が介在するように接合する工程と、前記第1の基板をエッチングにより除去し、前記絶縁層を露出させると共に、前記凹部内に充填された前記エミッタ材料に相当する凸部を突出させる工程と、前記露出された絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と、前記凸部の先端部が露出するように、前記絶縁層およびゲート電極層の一部を除去し、エミッタを形成する工程とを有することを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。

IPC (3件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30 ,  H01J 31/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-225721
  
• 特開昭56-160740
  
• 特開平4-133241