特許

J-GLOBAL ID：200903062431089026

半導体装置のエッチング加工方法

発明者： 山下 元治 ,  川上 信之 ,  鈴木 康平
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-055083
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246232
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 工程数を削減して、簡素な方法でコンタクトホール及びビアホールを形成することができる半導体装置のエッチング加工方法を提供する。【解決手段】 LS-SOG膜15におけるコンタクトホールを形成すべき部分に、ベリリウムイオンの収束イオンビーム(FIB)又は電子ビーム(EB)を照射し、次いで200乃至450°Cの温度で熱処理した後、バッファードフッ酸(BHF)又はフッ酸(HF)により湿式エッチングする。これにより、LS-SOG膜15におけるビームを照射した部分にコンタクトホールが形成される。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜に集束イオンビーム又は電子ビームを照射し、次いで熱処理した後、エッチング溶液により湿式エッチングすることを特徴とする半導体装置のエッチング加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/306 D ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/90 C