特許

J-GLOBAL ID：200903062434933987

誘電体分離基板を用いた光半導体装置

発明者： 岩井 誉貴 ,  川端 敏治
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-268225
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116186
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 誘電体分離基板を用いた光半導体装置において、フォトダイオードの受光感度を向上させることにより、シリコン単結晶島の厚さを薄くしてウェハの反りを低減する。【解決手段】 ポリシリコン支持基体1の上面に複数の溝を形成し、各溝の中に多層全反射膜2を介してシリコン単結晶を充填する。個々のシリコン単結晶島3の上に、それぞれpn構造を有するフォトダイオード4、MOSFET5を形成する。多層全反射膜2は、絶縁性の酸化膜(膜厚d1 、屈折率n1 )及び窒化膜(膜厚d2 、屈折率n2 )が交互に積層された構造とする。酸化膜と窒化膜のそれぞれの膜厚d1 、d2 及び屈折率n1 、n2 が、入射光の波長λに対して、下記(数4)の関係を満たすようにする。【数4】

請求項（抜粋）：

複数の溝を有する誘電体分離基板と、前記誘電体分離基板の前記複数の溝の中に反射膜を介して充填されたシリコン単結晶島と、前記シリコン単結晶島の上に形成された少なくとも受光素子を含む電子デバイスとを備えた光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/12

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/12 A ,  H01L 31/02 A