特許

J-GLOBAL ID：200903062438083902

半導体素子用基板の製造方法および半導体素子

発明者： 浅野 英樹
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139654
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326425
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 欠陥密度の低い、信頼性の高い半導体素子用基板を製造する。【解決手段】 有機金属成長法によりベース基板である6H-SiC基板1の(0001)面上に絶縁膜であるSiO2膜2を形成し、600μm間隔で5μm程度の幅のSiO2膜2を除去して開口部2aとし、ラインアンドスペースのパターンを形成する。SiO2膜2および開口部2aに臨むベース基板1の露出部1a上にこのベース基板露出部1aを成長の核としてIII族窒素化合物半導体層であるGaN層3を厚み300μm程度選択成長させる。ベース基板1及びSiO2膜残留部2bをエッチングにより除去する。ベース基板1およびSiO2膜残留部2bが除去されたGaN結晶3の凹部領域6に選択的にレジスト7を配置し、このレジスト7をマスクとして、エッチングによりGaN結晶3の欠陥の多い結晶領域4の突出部(凸部)3aを除去する。その後レジスト6を除去して図1(e)に示すGaN基板3’とする。

請求項（抜粋）：

ベース基板上に等間隔のストライプ状開口を有する絶縁膜を形成する第一の工程と、前記ストライプ状開口に臨む前記ベース基板露出部を成長の核として、該露出部および前記絶縁膜上にIII族窒素化合物半導体層を結晶成長させる第二の工程と、前記ベース基板および前記絶縁膜を除去する第三の工程と、前記ベース基板および前記絶縁膜が除去されて形成された前記III族窒素化合物半導体層の凹部にマスク層を形成し、前記III族窒素化合物半導体層の前記凹部間である凸部を除去する第四の工程とを含むことを特徴とする半導体素子用基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01S 5/343 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01S 5/343 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (70件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FG12 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4K030AA03 ,  4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA05 ,  4K030DA08 ,  4K030LA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045GH08 ,  5F045HA12 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29