特許

J-GLOBAL ID：200903062438446657

半導体レーザ素子およびその製法

発明者： ▲さき▼山 肇
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231699
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085383
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 高温熱処理を施したばあいであっても、低雑音化に有効な自励発振が再現性良くえられる半導体レーザ素子を提供する。【構成】 第1導電型の半導体基板11上に、第1導電型の下部クラッド層12、活性層13、第2導電型の第1上部クラッド層14、第1導電型の電流阻止層16、第2導電型の第2上部クラッド層18および第2導電型のキャップ層19がこの順に積層されており、かつ、前記電流阻止層中に、共振器方向に沿ってストライプ溝21が形成されてなる内部ストライプ型半導体レーザ素子で、前記ストライプ溝上の前記第2上部クラッド層および/またはキャップ層の少なくとも一部分にホウ素または酸素を含有する高抵抗領域を有している。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に、第1導電型の下部クラッド層、活性層、第2導電型の第1上部クラッド層、第1導電型の電流阻止層、第2導電型の第2上部クラッド層および第2導電型のキャップ層がこの順に積層されており、かつ、前記電流阻止層に、共振器方向に沿ってストライプ溝が形成されてなる内部ストライプ型半導体レーザ素子であって、前記ストライプ溝上の前記第2上部クラッド層および/またはキャップ層の少なくとも一部分にホウ素または酸素を含有する高抵抗領域を有してなる半導体レーザ素子。