特許
J-GLOBAL ID：200903062441212497
マイクロ波プラズマを利用したダイヤモンド成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 寛治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146492
公開番号（公開出願番号）：特開平9-301795
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1997年11月25日
要約：
【要約】【課題】 ダイヤモンドを任意の大きさの物体に成長させることができ、また、均一な分布と結晶のダイヤモンド成長が得られ、さらに、成長温度を任意に変えて様々な結晶のダイヤモンドを得ることのできるマイクロ波プラズマを利用したダイヤモンド成長装置を提供すること。【解決手段】 マイクロ波電力を供給する同軸線路11の内部導体11bを真空室13内に突入させ、内部導体11bの長さはn・(λ/2)と定め、突入させた先端部11cの長さを(λ/4)+n・(λ/2)と定め、その先端部11cの先端でプラズマ発光部19を発生させ、また、真空室13にはダイヤモンドを成長させる表面体17と、この表面体17を加熱するヒ-タ-18とがプラズマ発光部19の外となるように設置してある。そして、真空室13内に供給したH2ガス、CH4ガスをプラズマによって化学反応させ励起されたガスが表面体17の面上にふりそそぎ表面体17の面上にダイヤモンドとして成長させる構成としてある。
請求項（抜粋）：
真空室内に供給した特定のガスをマイクロ波プラズマによって化学反応させて物体上にダイヤモンドを成長させるダイヤモンド成長装置において、ダイヤモンドを成長させるための物体をマイクロ波プラズマの発光部外に配設すると共に、この物体をヒ-タ-によって加熱する構成としたことを特徴とするダイヤモンド成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/04 D
, H05H 1/46 B
