特許
J-GLOBAL ID：200903062444741180
配線修正方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032136
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240415
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】LSIチップ上に配線を形成する際に、下地がAl配線か絶縁膜かにかかわらず、一定幅・一定厚の配線を、形成条件を変えずに形成し、高品質な配線修正を実現すること。【構成】直線偏光かつ連続発振レーザ光の偏光方向を1/2波長板で調整した後、電気光学素子で偏光方向を90度回転させて必要な時間幅と繰り返しのパルス光に変換するとともに、偏光ビームスプリッタで特定偏光成分のみを取り出すことで、パルス光と連続発振光の重畳されたレーザ光に変換し、このレーザ光をCVD材料ガス雰囲気に置かれたLSI上に集光照射し、選択的に配線を形成することによりLSI配線を修正する。
請求項（抜粋）：
CVD材料ガス雰囲気中に置かれたLSI上にレーザ光を照射して前記CVD材料ガスを分解し、選択的に導電膜を形成して配線を修正する方法において、前記レーザ光が連続発振光とパルス光の重畳されたレーザ光であることを特徴とする配線修正方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/205
, H01L 21/268
