特許

J-GLOBAL ID：200903062446929004

半導体装置の製造方法

発明者： 笠置 泰男
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289251
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107032
出願日： 1995年10月11日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 アルミ系膜の流動化によるコンタクト孔の埋め込みを既存の設備で行って、アルミ系膜の信頼性が高い半導体装置を低コストで製造する。【解決手段】 アルミ系膜15とTi膜16とを真空中で連続的に形成し、Ti膜16の除去とアルミ系膜15の流動化とを同一のチャンバー内で行う。このため、Ti膜16の形成後に半導体基板11を大気に曝しても、アルミナがアルミ系膜15の表面に形成されず、アルミ系膜15を十分に流動化させることができる。さらに、Ti膜16の除去とアルミ系膜15の加熱とは既存の設備でも同一のチャンバー内で行うことができる。

請求項（抜粋）：

下地導電層上の絶縁膜に形成されたコンタクト孔部分に、アルミニウムを含有する導電膜と、前記導電膜に対するエッチング選択性を有する被覆膜とを連続的に形成する工程と、エッチングによる前記被覆膜の除去と、前記導電膜を流動化させることによる前記接続孔の埋め込みとを同一のチャンバー内で連続的に行う工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 301 R