特許
J-GLOBAL ID：200903062451365828
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270693
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115251
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 高速変調が可能な低い素子抵抗をもつ埋め込み構造レーザを提供する。【構成】 半導体レーザは第1の導電型を有する(100)半導体基板201上に、第1の導電型を有するバッファ層302、歪量子井戸活性層305、第2の導電型を有するクラッド層306、第1の電極層307、第2の電極層308を形成しこれらを加工してメサストライプ310とし、メサ側壁を鉄ドープ高抵抗埋込み層311により埋込み、SiO2 膜312を付け、窓開けをし、p形電極314とn形電極315を両側に形成する。クラッド層306と接する第1の電極層307のエネルギギャップがクラッド層より小さく、第1の電極層の上の第2の電極層308のエネルギギャップより大きくする。電極層は3層以上設け順次エネルギギャップを大きくしてもよい。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する(100)面半導体基板上に配された少なくとも活性層、第2の導電型を有するクラッド層、および電極層からなる積層体がメサストライプ状に加工されており、該メサ側壁を高抵抗半導体結晶層、または下から第2の導電型を有する半導体層と第1の導電型を有する半導体層の積層体で埋め込まれた構造を持つ半導体レーザにおいて、前記電極層が2層からなり、前記クラッド層に接する第1の電極層のエネルギギャップが前記クラッド層のエネルギギャップよりも小さく、かつ第1の電極層の上の第2の電極層のエネルギギャップよりも大きいことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
引用特許：
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