特許

J-GLOBAL ID：200903062452506697

レジスト膜形成方法

発明者： 脇 清隆 ,  小寺 孝兵
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068407
公開番号（公開出願番号）：特開平5-273760
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 薄膜のレジスト層を基板表面全体に均一に形成することであり、特に、スルーホール用孔内部に気泡を含まないレジスト膜を形成することであり、その結果として、微小径スルーホールあるいはランドレススルーホールを含む、高密度、高精度な回路基板を簡便かつ低コストで実施でき、しかも、スルーホール信頼性よく製造するレジスト膜の形成方法を提供する。【構成】 循環ポンプ43等を用いた流動させた非ニュートン性を有するレジスト液3の流体中に、表面に導体金属層が形成された基板1を浸漬し、脱泡処理した後、引き上げることにより、基板1にレジスト液3を塗布するようにする。

請求項（抜粋）：

非ニュートン性を有するレジスト液流体中に、表面に導体金属層が形成された基板を浸漬し、脱泡処理した後、引き上げることにより、基板にレジスト液を塗布するようにするレジスト膜形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/16 ,  B05D 1/18 ,  H01L 21/027 ,  H05K 3/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-268384
  
• 特開平2-135451
  
• 特開昭62-097668
  
• 特開平4-045867