特許
J-GLOBAL ID：200903062453967612
積層型セラミックチップコンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-110892
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283278
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【構成】 本発明はNiまたはNi合金である内部電極と誘電体層とを有する積層型セラミックチップコンデンサを、焼成することによって製造する方法であって、焼成雰囲気の酸素分圧を、焼成工程の昇温部の少なくとも一部において、温度維持部より低くすることを特徴とする。【効果】 焼結体粒子の粒径が小さくなり、層間厚みを薄くすることができ、また長寿命となり、しかも初期絶縁抵抗の値が高くなるという効果が得られる。
請求項（抜粋）：
NiまたはNi合金である内部電極と誘電体層とを有する積層型セラミックチップコンデンサを、昇温部、該昇温部に続き、所定の焼成温度に維持する温度維持部、降温部を含む焼成工程によって焼成することによって積層型セラミックチップコンデンサを製造する積層型セラミックチップコンデンサの製造方法であって、焼成における昇温部の1100〜1300°Cの一部または全部の酸素分圧を10-12atm以下とすることを特徴とする請求項1の積層型セラミックチップコンデンサの製造方法。
IPC (2件)：
H01G 4/12 364
, H01G 4/30 311
