特許

J-GLOBAL ID：200903062461159231

III-V族半導体物質及び該物質を含む電子部材

発明者： クリスチヤン・ブリランスキ ,  マリ-アントワネツト・プワソン
出願人/特許権者： トムソン-セーエスエフ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-333833
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186359
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体と基板との間の単位胞ミスマッチに起因する欠陥構造密度の低いIII-V族型半導体結晶を提供する。【解決手段】 正方晶系として結晶化するスズ石型結晶基板でのヘテロエピタクシャル成長により得られるIII-V族半導体物質。

請求項（抜粋）：

正方晶系として結晶化するスズ石型結晶基板上でのヘテロエピタクシーにより得られるIII-V族半導体物質。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205

FI (6件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 C ,  C30B 29/40 502 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205