特許
J-GLOBAL ID：200903062463179744
窒化物半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022196
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219539
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】本願発明の課題は、使用環境の厳しい条件下においても半導体素子として良好なオーミック接触を形成するとともに電極などの機械的強度を向上させ安定駆動させる窒化物半導体素子を提供することにある。【解決手段】本願発明は、N型導電性を有する窒化物半導体上に電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極がWを有する第1の層と該第1の層上に設けられたAlを有する第2の層の窒化物半導体素子である。
請求項（抜粋）：
N型導電性を有する窒化物半導体上に電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極がWを有する第1の層と該第1の層上に設けられたAlを有する第2の層であることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01S 3/18
