特許
J-GLOBAL ID：200903062464505483
絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-144109
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317779
出願日： 2006年05月24日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】ゲート電極の下端近傍の局所的な電界集中を回避した絶縁ゲート型半導体装置,およびその絶縁ゲート型半導体装置を高精度でかつ容易に作製することができる製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,ゲート絶縁膜24と絶縁層23との間(すなわち,ゲート電極22の下側の角部周辺)に,ゲート絶縁膜24よりも幅が大きい拡張絶縁領域241を有している。ゲートトレンチ21の側部は,拡張絶縁領域241の外形に沿ってゲート電極22の下端付近で外側に膨らんだ形状となっている。また,ゲート電極22の下側の角部は,拡張絶縁領域241の外形に沿って内側に窪む形状となっている。そのため,ゲート電極22の底部は,拡張絶縁層241の外形に沿って角部が傾斜した形状をなしている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
トレンチゲート構造を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において,
半導体基板の上面にトレンチ部を形成するトレンチ部形成工程と,
前記トレンチ部内を絶縁物で充填し,その後のエッチバックにより前記トレンチ部内の絶縁物を所望の深さまで除去し,前記トレンチ部の底上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と,
前記絶縁層形成工程後に,前記トレンチ部を閉塞しない膜厚の酸化保護膜を形成する保護膜形成工程と,
前記酸化保護膜のうち,前記トレンチ部の側壁上に位置する部分を残したまま前記絶縁層上に位置する部分を除去する保護膜エッチバック工程と,
前記保護膜エッチバック工程後に,熱酸化処理を行う熱酸化工程と,
前記熱酸化工程後に,前記トレンチ部内にゲート電極層を形成するゲート電極層形成工程と含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H01L29/78 652H
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 658A
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
