不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222734
公開番号（公開出願番号）：特開平7-114798
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】不揮発性メモリセルトランジスタへの情報書込を確実なものとしかつ情報書込時間を短縮する。【構成】EEPROMの副ビット線BLsa1にメモリセルトランジスタMa1のドレインを接続する。副ビット線は選択トランジスタTsa1のドレイン・ソース間を介して主ビット線BLa1に接続する。副ビット線の等価容量Coは、選択トランジスタの一時的なオンにより主ビット線の電位にプリチャージされる。プリチャージされた副ビット線の電位は漏洩電流成分等価抵抗Roの存在により低下しようとするが、選択トランジスタをパルスで間欠的にオンさせて主ビット線から副ビット線へ電荷を補給すると、副ビット線電位の低下が防止される。

請求項（抜粋）：

主ビット線と;副ビット線と;前記副ビット線を前記主ビット線へ選択的に接続するビット線選択トランジスタと;前記ビット線選択トランジスタにより前記副ビット線を前記主ビット線へ接続した後、前記ビット線選択トランジスタを間欠的に導通させる導通手段と;不揮発性情報を保持するフローティングゲートおよびこのフローティングゲートに保持される情報の書込、消去または読取を制御するコントロールゲートを持ち、前記副ビット線に接続されるメモリセルトランジスタと;第1電位およびこの第1電位と異なる第2電位が交互に反復する駆動信号を前記メモリセルトランジスタのコントロールゲートに与える駆動信号手段と;を具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/115

FI (3件)：

G11C 17/00 510 D , G11C 17/00 307 D , H01L 27/10 434

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