特許
J-GLOBAL ID:200903062476102120

薄板支持方法と薄板支持装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 尾川 秀昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-104514
公開番号(公開出願番号):特開平10-294357
出願日: 1997年04月22日
公開日(公表日): 1998年11月04日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウェハ9をその表面の凹凸を矯正して該表面を基準面となるように支持できるようにする。【解決手段】 開口を支持板7で閉塞したチャンバー3内部に粒子8aと液体(液状樹脂)8bの加振液状化体8を封入し、支持板7表面にウェハ9を貼り付け、通常時は加振しないことにより上記加振液状化体8にそれを固体の状態に保持して上記支持板の支持をさせ、加振することにより液状化して流動させ、その加振持にマスターとなる、加圧部10の平面11をウェハ9表面に押し当てて転写し、その後、加振を停止するようにする。
請求項(抜粋):
開口を有するチャンバーの該開口を支持板で閉塞し、該チャンバー内部に振動を与えると液状化して流動性を帯びる加振液状化体を封入し、上記支持板の反開口側の面に被支持薄板を貼り付け、通常時は加振しないことにより上記チャンバー内の上記加振液状化体をある剛性を持つ固体の状態に保持させて上記支持板を支持させ、加振することにより上記チャンバー内の加振液状化体を液状化して流動させ、その加振持にマスター(基準面)となる平面を上記被支持薄板に押し当てることにより該被支持薄板の表面に該マスターの平面を転写し、その後、加振を停止することにより上記チャンバー内の液状化して流動していた加振液状化体を加振停止時の形状のまま固化することを特徴とする薄板支持方法
IPC (3件):
H01L 21/68 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 321
FI (3件):
H01L 21/68 N ,  H01L 21/304 321 H ,  H01L 21/30 515 G

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