特許
J-GLOBAL ID：200903062483788097
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-207687
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061240
出願日： 1992年08月04日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】リソグラフィー加工精度より小さい幅のエミッタ領域を有する高速特性の優れたバイポーラトランジスタを得る。【構成】エミッタ開口部108の側壁に設けた窒化シリコン膜109の内周に沿って環状の開口部を設け、窒化シリコン膜109の内側の側壁に設けたN型不純物を含む多結晶シリコン膜117より不純物をベース領域113内に拡散してエミッタ領域118を形成しているため、リソグラフィーの最小加工精度より小さい20〜200nmの程度の幅のエミッタ領域118を高加工精度で得ることができる。これによりエミッタ・ベース間寄生容量の低減およびベース引き出し抵抗の低減が同時に可能となり、トランジスタの高速性能の大幅な向上が得られる。
請求項（抜粋）：
コレクタ領域となる一導電型半導体層の上に順次積層して設けたベース引出電極及び第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜及びベース引出電極を選択的に順次エッチングして設けた第1の開口部と、前記ベース引出電極の下面に接続して設けた逆導電型の外部ベース領域と、前記開口部の一導電型半導体層の表面に設けて前記外部ベース領域と接続した逆導電型のベース領域と、前記開口部の側壁に設けた第2の絶縁膜と、前記開口部のベース領域の中央部に設けた第3の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の内周に沿って設けた環状の第2の開口部と、前記第2の開口部の前記ベース領域内に設けた一導電型のエミッタ領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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