特許

J-GLOBAL ID：200903062492074110

露光量設定方法、露光方法およびこれを用いた露光装置

発明者： 三保谷 拓史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-278894
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119570
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】レジストパターンの寸法のばらつきが抑制される露光方法と露光装置を提供する。【解決手段】基板上にレジストが塗布形成される(ステップT1)。その基板が露光装置に導入される(ステップT2)。所定の処理(ステップT3〜T5)の後、露光処理がスタートする(ステップT5)。露光処理がスタートすると、基板は所定の露光位置へ移動される(ステップT6)。オートフォーカス処理(ステップT10)の際に、膜厚測定ユニットにより露光ショット領域に位置する部分のレジストの膜厚が測定されて、測定されたレジスト膜厚と入力されたレジストパターンの寸法とからデータベースに基づいて最適な露光量が算出される(ステップT7〜ステップT9)。算出された露光量のデータに基づいて露光処理(ステップT10)が実行される。【選択図】 図14

請求項（抜粋）：

レジストの膜厚とそのレジストに対して所望の寸法のレジストパターンを形成するために必要な露光量との相関データを求める工程と、 基板上に塗布形成されたレジストに対して、露光光が照射される露光ショット領域に位置する部分のレジストの膜厚を測定する膜厚測定工程と、 前記膜厚測定工程において測定された前記レジストの膜厚から、前記相関データに基づいて、前記レジストに所望の寸法のパターンを形成するための露光量を算出して設定する工程と を備えた、露光量設定方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20

FI (2件)：

H01L21/30 502G ,  G03F7/20 501

Fターム (5件)：

2H097BB10 ,  2H097CA12 ,  2H097LA12 ,  5F046DA02 ,  5F046DB04