荷電粒子線装置及びそれを用いた画像取得方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-005482
公開番号（公開出願番号）：特開2007-187538
出願日： 2006年01月13日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

【課題】半導体装置等の微少寸法(CD値)を計測するのに用いられる荷電粒子線装置において,試料への電子ビームのランディング角がばらつきことに起因するCD値ばらつきを低減する方法,及び,装置間の電子ビームランディング角の差違に起因する機差を低減する方法を提供する。【解決手段】結晶異方性エッチングの技術により作製した各面のなす角が既知の多面体構造物が視野内に複数含まれるように配置した較正用サンプルを用い,各多面体構造物の画像上での幾何学的な変形をもとに,視野内の各位置のビームランディング角を算出し,視野内の各位置のビームランディング角が等しくするビーム制御パラメータを予め登録しておき,寸法計測を行う際は,計測対象パターンの視野内での位置に応じて,上記登録したビーム制御パラメータを適用することにより,等しいビームランディング角にて,計測用の画像を取得する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

荷電粒子線装置を用いて試料を撮像する方法であって、形状が既知の多面体のパターンが形成された試験試料に荷電粒子線を照射し走査して該試験試料から発生する2次荷電粒子を検出することにより該試験試料を撮像し、該撮像して得た前記試験試料のパターンの画像から前記荷電粒子線の前期試験試料表面へのビームランディング角を算出し、該算出したビームランディング角の情報に基づいて該ビームランディング角が所望の角度になるような前記荷電粒子線の制御量を求め、該求めた制御量に基づいて前記荷電粒子線を制御しながら表面にパターンが形成された試料に照射し走査して該試料を撮像することを特徴とする荷電粒子線装置を用いた撮像方法。

IPC (2件)：

G01B 15/00 , H01J 37/147

FI (2件)：

G01B15/00 K , H01J37/147 B

Fターム (13件)：

2F067AA21 , 2F067BB04 , 2F067CC17 , 2F067EE03 , 2F067GG07 , 2F067HH06 , 2F067JJ05 , 2F067KK04 , 2F067PP12 , 2F067RR33 , 2F067RR35 , 5C033FF03 , 5C033FF10

引用特許：

出願人引用 (1件)

荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-305267 出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ

審査官引用 (4件)

試料の観察方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-338342 出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
特開平3-163308
三次元形状解析装置用校正部材及び三次元形状解析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-303379 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立サイエンスシステムズ

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