特許
J-GLOBAL ID：200903062497653160
磁気抵抗効果素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-199353
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326919
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 安価な基板を用い、かつ磁界検出部である磁性膜の形成されている表面に磁界検出の妨げとなる突出部分(凸部分)が一切生じることがない構造を可能ならしめ、さらに耐候性に優れた磁気抵抗効果素子を簡単な工程により作製できる磁気抵抗効果素子を提供する。さらに可撓性基体の上に形成された磁性膜に対して、基体変形とともに、適宜応力を加え、磁気弾性効果を利用して各々の製品仕様にあわせた磁気特性の最適化を容易に実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。さらには、少なくとも2つ以上の磁性膜を所定間隔に配置させた、いわゆる、差動動作型検出の磁気抵抗効果素子であって、上記の磁性膜間隔を任意に変化させて最適な種々の測定仕様を設定できる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と、該磁性膜に電流を流すための導電体電極膜とが、それぞれ、可撓性基体の上に、配置形成されてなるよう構成する。
請求項（抜粋）：
磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と、該磁性膜に電流を流すための導電体電極膜とが、それぞれ、可撓性基体の上に、配置形成されてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, H01L 43/02
H01L 43/08 Z
, H01L 43/02 Z
, G01R 33/06 R
