特許

J-GLOBAL ID：200903062501366251

基板処理装置、及び半導体装置の製造方法

発明者： 小川 雲龍 ,  上田 立志
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-149020
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347278
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 プラズマドライクリーニングの連続処理を効率的に行う。【解決手段】 ウエハWを処理する処理室1と、ウエハWを処理する為の処理ガスをプラズマにより活性化させるプラズマユニット2と、処理室1内のウエハWを加熱するランプ3とを備え、プラズマユニット2で活性化された処理ガスの活性種を処理室1内へ供給し、これをウエハW表面の酸化膜と反応させる事でウエハW上に副生成物を生じさせ、次いで当該ウエハWをランプ3により加熱する事で副生成物を除去するドライクリーニング装置において、処理室1の内壁を冷却する処理室冷却機構11を備えた。これにより処理室1自体がランプ3等によって加熱されてしまう事を回避できるから、副生成物生成の際における反応効率の低下を確実に抑制できる。

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、前記基板を処理する為に用いる処理ガスをプラズマにより活性化させる活性化手段と、前記処理室内の基板を加熱する加熱手段と、を備え、前記活性化手段により活性化された処理ガスの活性種を前記処理室内の基板へ供給することで当該基板上に副生成物を生じさせ、次いで当該基板を前記加熱手段により加熱することで前記副生成物を除去する基板処理装置であって、前記処理室の内壁を冷却する処理室冷却手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645

FI (2件)：

H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/302 102

Fターム (7件)：

5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BB26 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03