特許
J-GLOBAL ID：200903062503322588
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-357530
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200156
出願日： 1996年12月28日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子において十分なレベルの光出力を得ることができなかった。【解決手段】 P型半導体領域11とN型半導体領域12とアノード電極15とカソード電極17とから成る発光素子において、上面14を粗面から成る光導出領域14aとする。また、下面16を反射し易い微少曲面が集合して成る光反射領域16aとする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体領域と前記第1導電型と反対の第2導電型の第2の半導体領域とがPN接合を形成するように配置された半導体基体と、前記半導体基体の一方の主面の一部において前記第1の半導体領域に接続された第1の電極と、前記半導体基体の他方の主面の一部において前記第2の半導体領域に接続された第2の電極とを備え、前記一方の主面側に光を取り出すように構成された半導体発光素子において、前記他方の主面の全部又は前記第2の電極が形成されていない部分に多数の微少曲面が集合して成る光反射領域が設けられ、前記半導体基体の内部から前記他方の主面に入射した光の反射量が前記他方の主面の全部が実質的に平坦な鏡面の場合における光の反射量よりも多くなるように前記光反射領域の曲面が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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