特許
J-GLOBAL ID：200903062518525965
半導体送信装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231808
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085554
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 Ga As FETのゲートバイアスが適正値範囲外となった場合、Ga As FETのドレインに印加されるドレインバイアス電圧をしゃ断し、Ga As FETの破壊を防止する。【構成】 Ga As FETのゲートにソースフォロワーを接続し、ゲートバイアス電圧を検出しウィンドコンパレータに入力する。ゲートバイアス電圧が適正値範囲外の時はウィンドコンパレータから異常信号を発生する。ドレインバイアス電圧はしゃ断回路を経由してGa As FETのドレインに印加されているが、ゲートバイアス電圧が適正値範囲外になったことにより異常信号が発生するとしゃ断回路はGa As FETのドレインに対するドレインバイアス電圧の印加をしゃ断する。
請求項（抜粋）：
高周波を増幅するガリウム砒素電界効果型トランジスタと、このガリウム砒素電界効果型トランジスタのドレインと接続されるドレインバイアス端子と、接地されたドレインバイアス接地端子と、上記ガリウム砒素電界効果型トランジスタのゲートと接続されゲートバイアス電圧を発生するゲートバイアス回路と、このゲートバイアス電圧に接続される異常検出端子と、接地された異常検出接地端子と、上記異常検出端子と接続される異常入力端子と、上記異常検出接地端子に接続され異常入力リターン端子と、上記異常入力端子がゲートに接続されソースが負荷抵抗を介して接地されドレインがバイアス電圧に接続され上記ゲートバイアス電圧を電流増幅しゲートバイアス検出信号として出力する低周波電力増幅用電界効果型トランジスタと、このゲートバイアス検出信号が入力され適正ゲートバイアス電圧値の範囲外の時異常信号を出力するウィンドコンパレータと、上記ガリウム砒素電界効果型トランジスタのドレインバイアス電圧を発生するドレインバイアス回路と、上記ドレインバイアス端子と接続されるドレインバイアス出力端子と、上記ドレインバイアス接地端子と接続されるドレインバイアス出力リターン端子と、上記ウィンドコンパレータの出力とドレインバイアス電圧が入力されウィンドコンパレータの出力が異常信号を出力してない時はドレインバイアス電圧を出力しウィンドコンパレータの出力が上記異常信号となった時ドレインバイアス電圧をしゃ断し上記ドレインバイアス出力と上記ドレインバイアス出力リターン端子に接続されるしゃ断回路とにより構成されたことを特徴とする半導体送信装置。
IPC (2件)：
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