特許
J-GLOBAL ID：200903062518697235
青色半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-099483
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247760
出願日： 1989年04月28日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】 ダブルへテロ構造の一部を成すp型GaAlNクラッド層を格子歪みなく低抵抗に作成することができ、青色発光素子の実現を可能にする。【解決手段】 n型GaP基板41上に形成されたn型BPバッファ層42と、このバッファ層42上に形成され、AlGaN/BP超格子の活性層44をAlGaN/BP超格子のp型及びn型クラッド層43,45で挟んで形成されたダブルへテロ構造部とを備えた青色発光素子において、ダブルへテロ構造部のp側クラッド層45にはMgがドープされ、n側クラッド層43にはSiがドープされている。
請求項（抜粋）：
pn接合を有する青色半導体発光素子において、単結晶基板上に形成されたバッファ層と、このバッファ層上に形成され、発光層をGaAlN系材料からなるp型及びn型クラッド層で挟んで形成されたダブルへテロ構造部とを具備し、前記ダブルへテロ構造部のp側クラッド層にはMgがドープされ、n側クラッド層にはSiがドープされてなることを特徴とする青色半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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