特許

J-GLOBAL ID：200903062520710052

プラズマCVD装置とこれによる機能性堆積膜の形成方法

発明者： 岡部 正太郎 ,  藤岡 靖 ,  吉野 豪人 ,  芳里 直 ,  酒井 明 ,  金井 正博 ,  杉山 秀一郎 ,  越前 裕
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270516
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120144
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 形成膜中への不純物混入が少なく、高品質なシリコン系機能素子形成を容易にすること。【構成】 電子の電界放射を促進するための放電点火装置を具備するプラズマCVD装置において、放電点火装置を構成する放電促進用の電極がシリコンにて形成されている。

請求項（抜粋）：

電子の電界放射を促進するための放電点火装置を具備するプラズマCVD装置において、放電点火装置を構成する放電促進用の電極がシリコンにて形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。