特許
J-GLOBAL ID:200903062529072300

ガスセンサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 塩入 明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-271094
公開番号(公開出願番号):特開2002-082081
出願日: 2000年09月07日
公開日(公表日): 2002年03月22日
要約:
【要約】【構成】 先端に玉を設けた線材をキャピラリーと共に前進させ、玉をコイル内を通して固定する。次いでキャピラリーを後退させ、溶断して次の玉を形成する。この後ガスセンサのビーズを形成する。【効果】 中心電極をコイル内へ挿通させるのが容易で、中心電極に癖がないので、扱いやすい。
請求項(抜粋):
金属酸化物半導体のビーズ内にヒータ兼用電極のコイルと中心電極とを埋設し、前記コイルの両端と中心電極の少なくとも一端とをリード接続部に固着したガスセンサにおいて、前記中心電極が先端に玉を設けた線材を前記コイル内に挿通した後、前記ビーズ内に埋設したものであることを特徴とするガスセンサ。
IPC (2件):
G01N 27/12 ,  G01N 27/16
FI (3件):
G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 M ,  G01N 27/16 B
Fターム (11件):
2G046AA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BC01 ,  2G046BE01 ,  2G046EA01 ,  2G046EB01 ,  2G046FB02 ,  2G060BA01 ,  2G060BB03 ,  2G060BB16 ,  2G060JA01

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