特許

J-GLOBAL ID：200903062539916395

半導体素子用接着剤および半導体装置

発明者： 藤田 公英 ,  川澄 雅夫 ,  山崎 充夫 ,  市村 信雄 ,  宮本 泰雄
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-286228
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129347
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】半導体素子と支持部材とを低温かつ短時間で接合させることができ、硬化物層中のボイドの発生を抑制するとともに半導体素子の反りを低減させ、かつ湿気等による塩素化合物の溶出の少ない高信頼性の半導体素子用接着剤およびこれを用いた半導体装置を提供する。【構成】(1) エポキシ樹脂、(2) ジシアンジアミド、(3)ノボラック型フェノール樹脂、(4) 一般式(I)【化1】(ただし、R1はアルキル基またはフェニル基、R2はアルキル基またはヒドロキシメチル基を示す)で表されるイミダゾール類、(5) 一般式(II) 、【化2】(ただし、R1は水素、シアノエチル基または2,4-ジアミノ-6- エチル-s- トリアジン基、R2およびR3は同一または異なるアルキル基を示す)で表されるイミダゾール類および(6) 銀粉を含み、かつ上記(2) 〜(5) の成分をそれぞれ上記(1) エポキシ樹脂に対して所定量で含んでなる半導体素子用接着剤ならびにこれを用いて半導体素子を支持部材に接合してなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

(1)エポキシ樹脂、(2)ジシアンジアミド、(3)ノボラック型フェノール樹脂、(4)一般式(I)【化1】(ただし、R1 はアルキル基またはフェニル基、R2 はアルキル基またはヒドロキシメチル基を示す)で表されるイミダゾール類、(5)一般式(II) 、【化2】(ただし、R1 は水素、シアノエチル基または2,4-ジアミノ-6-エチル-s-トリアジン基、R2 およびR3 は同一または異なるアルキル基を示す)で表されるイミダゾール類および(6)銀粉を含み、かつ上記(2)〜(5)の成分をそれぞれ上記(1)エポキシ樹脂に対して2〜9モル%、5〜15モル%、3〜10モル%および1.5〜5モル%含んでなる半導体素子用接着剤。

IPC (4件)：

H01L 21/52 ,  C09J163/00 JFL ,  H01B 1/20 ,  C08G 59/56 NJE