特許
J-GLOBAL ID：200903062542016664
化合物電界効果半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316789
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124664
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 電界効果半導体装置及びその製造方法に関し、化合物電界効果半導体装置に於いて、ゲートとチャネル間を絶縁し、ゲート耐圧を向上させ、また、深いメサ・エッチングに起因するゲートの断線を防止しようとする。【解決手段】 半絶縁性InP基板21上に積層形成され且つメサ化されたi-InAlAsバッファ層22、i-InGaAsチャネル層23、n-InAlAsキャリヤ供給層24、i-InAlAs保護層25、n+ -InGaAsキャップ層26に液相酸化法を適用することに依って少なくともi-InGaAsチャネル層23の側壁に酸化絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
積層され且つメサ化された化合物半導体層の側壁に酸化絶縁膜が形成されてなることを特徴とする化合物電界効果半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ06
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GR04
, 5F102GS02
, 5F102GT03
, 5F102HC00
, 5F102HC01
, 5F102HC16
, 5F102HC18
