特許
J-GLOBAL ID：200903062544422082
強誘電性薄膜
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083465
公開番号（公開出願番号）：特開平5-254994
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】 ペロブスカイト型複合酸化物よりなる強誘電体材料の特性を有効に生かすことができると共に、この材料による配向成長薄膜を金属電極で挟んだ構造が実現できる強誘電性薄膜を提供する。【構成】 シリコン基板1上に膜厚50nmのタンタル膜2を、次いで膜厚50nmの白金の(111)面配向膜3を形成する。次に酢酸鉛、Zrプロポキシド及びTiプロポキシドのメトキシエタノール溶液をゾル-ゲル法で部分加水分解して得た前駆体溶液を用いて白金膜3上に複数回の塗布及びアニール処理を行い、膜厚400nmの強誘電体薄膜4すなわちペロブスカイト型複合酸化物の(111)面配向膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基礎結晶上に少なくとも1層以上の金属膜が有り、その金属膜層のうち少なくとも1層が立方晶金属(111)面配向膜であり、さらにこの金属膜上に配向成長したペロブスカイト型強誘電体の薄膜が形成されていることを特徴とする強誘電性薄膜。
IPC (4件)：
C30B 29/22 501
, C01G 23/00
, C01G 25/02
, G02F 1/03 501
