特許
J-GLOBAL ID：200903062545200393
半導体パッケージ及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019241
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222903
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、半導体パッケージを比較的簡易な構造にて基板上に積層可能として、なおかつ、半導体パッケージの下面におけるダイパッドに蓄積される熱を効果的に放熱することにより、信頼性の高い高密度実装が可能な半導体パッケージ及び半導体装置を提供することにある。【解決手段】 ダイ6と、ダイパッド2と、複数のアウターリード1と、アウターリード1に電気接続されたボンディングワイヤ4とを、ダイ6側に上面3aを形成しダイパッド2側に下面3bを形成する封止部材3により封止した半導体パッケージ10であって、アウターリード1は、封止部材3の上下面3a、3bと同じ面方向にそれぞれ電気的接続面1a、1bを有し、アウターリード1の高さを、封止部材3の上面3aの高さより高くなるように形成したものである。
請求項（抜粋）：
ダイと、ダイパッドと、複数のアウターリードと、該アウターリードに電気接続されたボンディングワイヤとを、前記ダイ側に上面を形成し前記ダイパッド側に下面を形成する封止部材により封止した半導体パッケージであって、前記アウターリードは、前記封止部材の前記上下面と同じ面方向にそれぞれ電気的接続面を有し、前記アウターリードの高さを、前記封止部材の前記上面の高さより高くなるように形成したことを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (6件)：
H01L 23/34
, H01L 23/28
, H01L 23/50
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/34 A
, H01L 23/28 B
, H01L 23/28 J
, H01L 23/50 K
, H01L 25/08 Z
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DB03
, 4M109GA05
, 5F036AA01
, 5F036BB05
, 5F036BE01
, 5F067AA02
, 5F067AA03
, 5F067BC14
