特許
J-GLOBAL ID：200903062547884745
LEDモノリシツクドツトマトリツクスの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-355498
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145117
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 埋め込み型のLED素子を形成することにより、機械的な素子分離工程を不要として、機械的切断に伴ってLED素子に現れる劣化を防止し、発光特性に優れたLEDモノリシックドットマトリックスを製造する。【構成】 SiC基板1の表面にマトリックス状に凹部2,2...を形成し((a)) 、その各凹部2内にのみp型SiC層3,n型SiC層4を積層形成((b),(c)) して各LED素子10とし、各LED素子10毎にp型電極5, n型電極6を形成する((d)) 。
請求項（抜粋）：
基板上に複数のLED素子をマトリックス状に配設したLEDモノリシックドットマトリックスを製造する方法において、SiC基板の一表面に複数の凹部をマトリックス状に形成する工程と、該凹部内にのみn型SiC層,p型SiC層を形成する工程とを有することを特徴とするLEDモノリシックドットマトリックスの製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
